SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，无需在隔离侧使用单独的电源，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，负载是否具有电阻性，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，以支持高频功率控制。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。每个部分包含一个线圈，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，从而实现高功率和高压SSR。并为负载提供直流电源。此外，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。